碳化硅年代至信微、瑶芯微的进击与困局

  【摘要】碳化硅（SiC）作为第三代半导体资料，凭仗其优异的耐高压、高温功能及低能耗特性，正逐渐代替传统硅基资料。

  相关专业组织猜测，2025年全球碳化硅器材商场规模可以打破100亿美元，年复合增加率高达30%。

  国内企业如至信微、瑶芯微等经过深耕技能锋芒毕露，但比较于世界巨子仍需不断迭代。

  我国电机工程学会电力系统电力电子器材专委会主任委员邱宇峰曾表明，“作为老练的第三代半导体资料，碳化硅（SiC）代替现行的硅基资料是必然趋势。”

  从资料特性来看，碳化硅晶体结构有α-SiC（六方结构）和β-SiC（立方结构）两类，别离适配于磨料耐火资料和各类半导体器材的需求。

  特别地，关于导电型碳化硅，p型碳化硅衬备的N沟道SiC IGBT器材在高温文高压环境下表现超卓，正推进着高端特高压功率器材国产化。

  随同硅基功率器材的功能迫临极限，碳化硅凭仗其超卓的高功率密度、耐高压高温、低能耗及抗辐射等功能，成为新能源轿车、智能电网等的“标配”。

  与此同时，新式电力系统对柔性化、电力电子化的需求激增，碳化硅器材则是“源网荷储”高效互联的中心支撑。

  GIR《2025-2030年我国碳化硅器材职业全景调研及出资趋势猜测陈述》猜测，2025年全球碳化硅器材商场规模能打破100亿美元，年复合增加率高达30%。

  中研普华的继续盯梢显现，2024年全球碳化硅项目出资超200亿美元，我国占比超50%。

  2024年“行家极光奖”我国SiC器材Fabless十强企业中，至信微和瑶芯微进入榜单。

  值得注意的是，至信微是“先研制后建立”的公司。公司副总王仁震表明，他们是等产品成型安稳今后再建立公司融资。

  从团队布景来说，公司创立者张爱忠是闻名功率半导体专家，中心成员来自华润微、意法半导体等世界闻名半导体企业。

  据悉，至信微已成为国内碳化硅职业产品线最多、散布最广的公司之一。各类碳化硅MOSFET产品处于业界领先水平，本年4月21日，其还发布了 3300V 8Ω SiC MOSFET系列新产品，稳固了至信微的职业位置。

  当时，瑶芯微的第五代碳化硅MOSFET功能对标英飞凌，2024年出货量同比增加300%，客户包括光伏逆变器龙头与800V平台车企。

  至信微和瑶芯微的碳化硅MOSFET主要是选用平面栅结构，该结构工艺相对老练，合适快速量产。

  不过，世界巨子如英飞凌、罗姆等已转向沟槽型结构，该技能可下降导通电阻并进步开关功能。

  据国家第三代半导体技能创新中心（南京）测验，沟槽型碳化硅MOSFET的导通功能较平面型进步30%。

  虽然平面型结构短期内仍是国内干流，但长时间来讲，沟槽型技能或成为职业趋势。

  此前，至信微副总经理何京京曾用了三个词描绘碳化硅职业：“内卷激战”、“格式重塑”和“卷王包围”。

  这一描绘精准反映了当下的职业对立：未来商场开展的潜力宽广，但产能扩张过快、供需失衡加重，职业正阅历一场严酷洗牌。

  知情的人悄悄表明，现在完结与在建的碳化硅衬底产能已到达800万片/年，碳化硅晶圆制作产能也到达600万片/年，这引发了严峻的供需失衡，价格战白热化。

  以天域半导体为例，其6英寸、8英寸碳化硅产品的毛利率均骤降至个位数。受此连累，公司归纳毛利率在2024年初次呈现负值。

  虽然价格下降有利于进步碳化硅的商场浸透率，但部分企业为了抢夺商场占有率而采纳贱价战略，不得不削减研制开销，导致新技能的开发滞后、职业全体创新力受损。

  头部企业如英飞凌、意法半导体加快向8英寸转型，企图经过“技能晋级”+“笔直整合（如收买衬底厂商）”来下降产品成本。

  而一些国内企业，如天科合达、芯联集成，则押注12英寸衬底，寄希望于技能代差。

  新能源轿车虽为一大驱动力，但特斯拉等车企已在探究削减碳化硅用量的代替计划。慢慢地削减的存量商场面对的实践是更严酷的竞赛。

  疯狂扩张下的价格内卷，正在改动职业格式。考虑到12英寸等高制程并不是件容易事，大洗牌时期都在拼血条。